小型晶體生長爐設備

原則上可以由固態(tài)、液態(tài)（熔體或溶液）或氣態(tài)生長而得。實際上人工晶體多半由熔體達到一定的過冷或溶液達到一定的過飽和而得。晶體生長是用一定的方法和技術，使單晶體由液態(tài)或氣態(tài)結晶成長。由液態(tài)結晶又可以分成熔體生長或溶液生長兩大類。

熔體生長又分為：

直拉法

此法是由熔體生長單晶的一項最主要的方法，適用于大尺寸晶體的批量生產。被加熱的坩堝中盛著熔融的料，籽晶桿帶著籽晶由上而下插入熔體，由于固液界面附近的熔體維持一定的過冷度、熔體沿籽晶結晶，并隨籽晶的逐漸上升而生長成棒狀單晶。坩堝可以由高頻感應或電阻加熱。半導體鍺、硅、氧化物單晶如釔鋁石榴石、釓鎵石榴石、鈮酸鋰等均用此方法生長而得。應用此方法時控制晶體品質的主要因素是固液界面的溫度梯度、生長速率、晶轉速率以及熔體的流體效應等。

區(qū)熔法

小型晶體生長爐設備

溶液生長又分為：

水溶液法

對于具有負溫度系數或其溶解度溫度系數較小的材料，可以使溶液保持恒溫，并且不斷地從育晶器中移去溶劑而使晶體生長，采用這種辦法結晶的叫蒸發(fā)法。

助熔劑法